雙晶探頭在同一個(gè)外殼中裝有由隔音屏障分開的兩個(gè)晶片。一個(gè)晶片發(fā)射縱波，另一個(gè)晶片作為接收器接收聲波。要了解有關(guān)用于MG2和37系列測(cè)厚儀的探頭更詳細(xì)的情況，請(qǐng)參閱第30頁和第31頁。

優(yōu)勢(shì)

• 改進(jìn)了近表面的分辨率。

• 避免了高溫應(yīng)用所需的多延遲塊。

• 在粗糙或彎曲表面上的耦合效果好。

• 減少了粗晶?；蛞咨⑸洳牧现械闹苯臃聪蛏⑸湓胍?。

• 將低頻單晶探頭的穿透性能與高頻單晶探頭的近表面分辨率性能結(jié)合在一起。

• 可與曲面工件外形相吻合，緊貼在工件的表面。

應(yīng)用

• 剩余壁厚測(cè)量。

• 腐蝕/侵蝕監(jiān)控。

• 焊縫覆蓋和覆層的粘膠/脫膠檢測(cè)。

• 探測(cè)鑄件和鍛件中的多孔性、夾雜物、裂紋及分層等缺陷。

• 探測(cè)螺栓或其它圓柱形部件中的裂紋。

• 等于或小于5.0 MHz的探頭可承受的至高溫度為 425°C（800°F）；7.5 MHz和10 MHz的探頭可承受的至高溫度為175°C（350°F）。表面溫度在90°C（200°F）到 425°C（800°F）的情況下，建議使用的占空因數(shù)為最多10 秒鐘接觸，然后進(jìn)行最少1分鐘的空氣冷卻（不適用于袖珍）。